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等離子增強化學(xué)氣相沉積爐(PECVD系統)

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

PECVD系統是一種基于等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)的薄膜沉積設備,能夠對各種材料進(jìn)行薄膜沉積,包括金屬、半導體、絕緣體等。PECVD技術(shù)在微電子、光電、平板顯示、儲能等領(lǐng)域具有重要的應用價(jià)值。

產(chǎn)品型號:
更新時(shí)間:2024-06-19
廠(chǎng)商性質(zhì):生產(chǎn)廠(chǎng)家
訪(fǎng)問(wèn)量:6625

產(chǎn)品分類(lèi)

PRODUCT CLASSIFICATION

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品牌HAOYUE/皓越

一、PECVD系統產(chǎn)品應用

  PECVD工藝中由于等離子體中高速運行的電子撞擊到中性的反應氣體分子,就會(huì )使中性反應氣體分子變成碎片或處于激活的狀態(tài)容易發(fā)生反應;借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體,在局部形成離子體,而等離子體化學(xué)活性很強,很容易反應,在基片上沉積出所期望的薄膜;具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質(zhì)量好、針孔較少、不易龜裂等優(yōu)點(diǎn);

等離子增強化學(xué)氣相沉積爐(PECVD系統)

PECVD系統


二、產(chǎn)品特點(diǎn)

  1、整機采用SUS304不銹鋼材質(zhì),流線(xiàn)型外觀(guān),真空吸附成型的優(yōu)質(zhì)高純氧化鋁多晶纖維固化爐膛,保溫性能好。

  2、爐子底部裝有一對滑軌,移動(dòng)平穩,可以手動(dòng)從一端滑向另一端,實(shí)現快速的加熱和冷卻。爐蓋可開(kāi)啟,可以實(shí)時(shí)觀(guān)察加熱的物料。

  3、采用高純石英管,高溫下化學(xué)穩定性強,耐腐蝕,熱膨脹系數極小。

  4、采用SUS304不銹鋼快速法蘭,通過(guò)用高溫“O"型圈緊密密封可獲得高真空,一個(gè)卡箍就能完成法蘭的連接,放、取物料方便快捷。

  5、加熱元件采用康奈爾發(fā)熱絲,表面負荷高、經(jīng)久耐用。設計溫度1200℃,升溫速率10℃/min。

  6、可選配多路質(zhì)量流量計,數字顯示、氣體流量自動(dòng)控制;內置不銹鋼混氣箱,每路氣體管路均配有逆止閥,可通過(guò)控制面板上的旋鈕來(lái)調節氣體流量。

  7、等離子射頻電源:大射頻功率達500W,輸出頻率13.56MHz±0.005%,輸入電源 208-240VAC, 單相50/60Hz。

三、技術(shù)參數

型號

HTF1200-2.5/20-2M-LV-PE

HTF1200-5/20-4M-LV-PE

HTF1200-6/40-2M-HV-PE

HTF1200-8/40-4M-HV-PE

設計溫度(℃)

1200

1200

1200

1200

控溫精度(℃)

±1

±1

±1

±1

加熱區直徑(mm)

25

50

60

80

加熱區長(cháng)度(mm)

200

200

400

400

加熱管長(cháng)度(mm)

450

450

1000

1000

恒溫區長(cháng)度(mm)

80

80

150

150

額定電壓(V)

220

220

220

220

額定功率(KVA)

1.2

1.2

3

3

射頻電源功率(W)

5~300

5~300

5~500

5~500

真空機組

HTF-101

HTF-101

HTF-104

HTF-104

供氣系統

HTF-2F

HTF-4F

HTF-2M

HTF-4M


   PECVD系統是一種基于等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)的薄膜沉積設備,能夠對各種材料進(jìn)行薄膜沉積,包括金屬、半導體、絕緣體等。PECVD技術(shù)在微電子、光電、平板顯示、儲能等領(lǐng)域具有重要的應用價(jià)值。
  PECVD系統主要由等離子體源、反應室、氣體進(jìn)料裝置、真空泵組成。
  等離子體化學(xué)氣相沉積是一個(gè)非常重要的化學(xué)物理過(guò)程,其原理是將氣態(tài)前驅體通過(guò)電場(chǎng)等離子體化為反應中的激活態(tài)分子或離子,并在特定條件下沉積在襯底上。在PECVD系統中,首先將反應室抽真空至高真空狀態(tài),然后在等離子體源產(chǎn)生高能電子通過(guò)電磁場(chǎng)加熱氣體形成等離子體,對氣態(tài)前驅體進(jìn)行等離子體化學(xué)反應,產(chǎn)生反應產(chǎn)物并在襯底上沉積為薄膜。
  PECVD系統有多種類(lèi)型,根據不同的離子化方式可以分為射頻、微波等離子體排放等多種形式。其中,射頻等離子體排放方式最為常見(jiàn)。
  射頻等離子體排放方式是通過(guò)高頻電極和接收電極之間的電場(chǎng)產(chǎn)生等離子體。在等離子體反應中,通過(guò)控制前驅體的壓力、流量、疊加比例等參數,控制反應過(guò)程中的離子濃度、溫度、速度等參數,從而得到所需要的薄膜。
  PECVD技術(shù)具有多項優(yōu)點(diǎn),如沉積速度高、沉積質(zhì)量好、材料可控性高等,能夠滿(mǎn)足復雜材料沉積的要求。同時(shí),PECVD技術(shù)也存在一些問(wèn)題,如材料不均勻性、產(chǎn)率低、設備成本高等。
  在實(shí)際應用中,通過(guò)調整PECVD系統的工藝參數、優(yōu)化設備結構以及改進(jìn)氣體進(jìn)料裝置等措施,可以克服其存在的問(wèn)題,并在微電子、光電、平板顯示、儲能等領(lǐng)域獲得廣泛應用。
  綜上所述,PECVD系統是一種非常重要的材料加工設備,具有多項優(yōu)點(diǎn),但也面臨一些挑戰。在這方面,需要通過(guò)不斷地技術(shù)創(chuàng )新和設備改進(jìn),使其在實(shí)際應用中的性能不斷地得到提高,從而更好地滿(mǎn)足各種應用領(lǐng)域的需求。

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